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本公开提供了一种MSM型多孔氧化嫁日盲探测器及其制造方法，其中探测器包括：外延结构和在外延结构表面蒸镀的MSM电极；外延结构包括：衬底、衬底上的u‑GaN外延层和u‑GaN外延层上的n‑GaN外延层；在n‑GaN外延层上层进行电化学腐蚀得到...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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