温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种包括pn结二极管的半导体装置及其制造方法。所述装置包括具有第一导电类型的半导体衬底。所述装置还包括定位在所述衬底中的埋入式氧化物层。所述装置另外包括具有第二导电类型的半导体区域，所述半导体区域在所述埋入式氧化物层下方延伸以与具有所述第一...
该专利属于恩智浦有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩智浦有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。