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在制造前侧IGBT结构后没有背侧激光掺杂物激活或任何温度超过450℃的工艺的情况下制造的场终止绝缘栅双极型晶体管(IGBT)提供具有受控制的掺杂浓度的激活注入区。注入区可以通过外延生长或者离子注入和扩散形成在衬底上或衬底中，然后生长N场终止...
该专利属于艾鲍尔半导体所有，仅供学习研究参考，未经过艾鲍尔半导体授权不得商用。

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