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本申请案涉及载子注入控制快恢复二极管结构及制造方法。提供半导体装置及制造方法。所述半导体装置包含通过降低载子存储控制电荷注入的电荷注入受控CIC快恢复二极管FRD。所述装置可具有第一导电性类型半导体衬底及漂移区域，所述漂移区域包含掺杂缓冲器...
该专利属于爱动力半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱动力半导体公司授权不得商用。

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