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本发明提供了一种半导体器件及其形成方法，首先形成沟槽隔离结构于所述衬底中，由于所述沟槽隔离结构具有相连接的第一隔离部及位于所述第一隔离部下方的第二隔离部，并且所述第二隔离部在垂直于高度方向上的横向宽度尺寸大于所述第一隔离部在垂直于高度方向上...
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