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本发明提供了一种电容器阵列结构、半导体器件及其制备方法，在原有电容阵列结构的边界基础上增加一由绝缘材料形成的边界保护层，能够将在导电接触插塞制作工艺中由于电容阵列结构边界不平整产生的裂缝与电容阵列结构边界分隔开，从而避免因所述裂缝而造成导电...
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