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电容结构及其形成方法技术
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文档序号:23707947
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本发明提供一种电容结构的形成方法,其中该电容结构的第一上电极层采用交替循环通入第一气体和第二气体于所述第一介电层上沉积反应形成,每个所述循环包括:通入第一气体进行沉积反应,持续第一时长;通入第一惰性气体进行吹扫,持续第二时长;通入第二气体进...
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