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本发明实施例公开了一种半导体装置与其形成方法，一实施例的半导体装置包括：p型场效应晶体管与n型场效应晶体管。p型场效应晶体管包括：第一栅极结构，形成于基板上；第一间隔物，位于第一栅极结构的侧壁上；以及非应变间隔物，位于第一间隔物的侧壁上。n...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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