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本发明提供一种半导体装置及其制造方法。此装置包括具有高压阱的半导体基板、位于上述半导体基板上的栅极介电层、位于上述栅极介电层上的T型栅极，上述T型栅极具有延伸超出T型栅极的颈部的多个突出结构、设置在上述T型栅极的多个突出结构下方的介电颈部支...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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