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本发明提供了一种电容器及其形成方法、半导体器件及其形成方法，衬底上的介质层中形成有对应所述衬底的源极接触区的接触窗，所述接触窗的侧壁具有至少一个凹陷部，以使所述接触窗的侧壁呈方波状，然后将电容结构形成在所述接触窗中，所述电容结构的缓冲层、底...
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