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本发明提供一半导体结构的形成方法及在晶圆上形成氧化硅膜的方法，该半导体结构的形成方法包括：在基底上形成第一氧化硅层；以及通过调整沉积工艺的射频功率和流量比在所述第一氧化硅层上形成第二氧化硅层；其中，所述射频功率为800～1500W，所述流量...
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