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本发明公开了一种用于二值神经网络的双字线6TSRAM单元电路，其中：PMOS晶体管M1和M2为预充电管，M1和M2的源极共同接到电源V...
该专利属于安徽大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大学授权不得商用。

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