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具有静电防护能力的晶体管器件及其制造方法技术
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文档序号:23607311
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本发明提供了一种具有静电防护能力的晶体管器件及其制造方法,第一漏极结构区下方的第一阱区中形成有第一附加注入区,所述第一阱区为N型阱区,所述第一附加注入区与所述第一漏极结构区的底部相连并对准所述第一漏极结构区的接触区域,通过所述第一附加注入区...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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