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本发明涉及集成电路领域，提供了一种埋入式字线结构及其形成方法、存储器。所述埋入式字线结构包括具有沟槽的基底以及形成于沟槽中的字线，沟槽包括沿深度方向相互连通的第一沟槽和第二沟槽，其中第二沟槽远离基底表面，且第二沟槽的平均宽度大于第一沟槽的平...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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