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半导体装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:23607200
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实施方式提供一种具有适合于微细化的电极构造的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备:第1半导体电路层,具有第1导电层;第2半导体电路层,具有第2导电层;以及第3半导体电路层,设置在第1半导体电路层与第2半导体电路层之间,且具有与第...
该专利属于东芝存储器株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。
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