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本发明公开了一种二次反应生长大面积单层或多层二碲化钼结构的方法。该方法先用原子层沉积的方式在衬底上沉积碲化钼纳米薄膜，再将沉积有碲化钼纳米薄膜的衬底以惰性气体或氢气为载气与单质碲进行高温二次反应，在衬底上获得大面积单层或多层二碲化钼结构。本...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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