一种二次反应生长大面积单层或多层二碲化钼结构的方法技术

本发明专利技术公开了一种二次反应生长大面积单层或多层二碲化钼结构的方法。该方法先用原子层沉积的方式在衬底上沉积碲化钼纳米薄膜，再将沉积有碲化钼纳米薄膜的衬底以惰性气体或氢气为载气与单质碲进行高温二次反应，在衬底上获得大面积单层或多层二碲化钼结构。本发明专利技术的优点是：可控性好，操作简单，可实现单层或多层二碲化钼的大面积制备。该发明专利技术制备二碲化钼结构，在光学材料、存储材料、催化材料以及半导体光电材料等方面有着广泛的应用前景。

A method of second reaction growth of large area single layer or multilayer molybdenum telluride structure

【技术实现步骤摘要】
一种二次反应生长大面积单层或多层二碲化钼结构的方法
本专利技术属于材料制备领域，涉及气相沉积技术，具体指一种二次反应生长大面积单层或多层二碲化钼结构的方法。
技术介绍
自从2004年Novoselov和Geim及其合作者成功地使用胶带从石墨上剥离出了石墨烯后，二维材料的研究进入了高速发展的时期，与此同时，石墨烯及类石墨烯材料进一步丰富了二维材料的家族，例如二维过渡金属硫族化合物，尤其是二碲化钼，因其优越的电学、光学、力学性质在光学材料，存储材料，催化材料以及半导体光电材料等方面有着广泛的应用前景。尽管二维纳米材料展现出诱人的前景，但是制约其发展的瓶颈在于如何能够规模化制备高质量、大面积的二维材料。目前常用的二维纳米材料的制备法可以归为两大类：自上而下剥离法和自下而上合成法。自上而下剥离法是最传统的制备二维材料的方法，制备方法简单，获得的样品缺陷少，但是产量较低，不适合大面积生产。自下而上合成法主要是在高温下通过钼源和碲蒸气反应，在衬底上生成二碲化钼薄膜。该方法是制备大面积高结晶质量二碲化钼最有效的方法，在尺寸，层数及物理性质控制方面具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二次反应生长大面积单层或多层二碲化钼结构的方法，其特征在于方法如下：/n先用六羰基钼和二乙基碲为前驱体，通过原子层沉积在衬底上沉积碲化钼纳米薄膜；再将沉积有碲化钼纳米薄膜的衬底以惰性气体或氢气为载气与单质碲进行高温二次反应，控制载气流量在1-500立方厘米/秒，反应压力在10-300托，反应温度为600-1000℃，反应时间为10秒到10分钟，在衬底上获得大面积单层或多层二碲化钼结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种二次反应生长大面积单层或多层二碲化钼结构的方法，其特征在于方法如下：
先用六羰基钼和二乙基碲为前驱体，通过原子层沉积在衬底上沉积碲化钼纳米薄膜；再将沉积有碲化钼纳米薄膜的衬底以惰性气体或氢气为载气与单质碲进行高温二次反应，控制载气流量在1-500立方厘米/秒，反应压力在10-300托，反应温度为600-1000℃，反应时间为10秒到10分钟，在衬底上获得大面积单层或多层二碲化钼结构。
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【专利技术属性】
技术研发人员：袁梦辉，陈鑫，孙艳，戴宁，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31