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一种栅极控制的半导体器件，包括：第一导电类型的集电极区；设置于所述集电极区之上的第二导电类型的漂移区；设置于所述漂移区之上的第一导电类型的主体区；第二导电类型的至少一个第一接触区，所述至少一个第一接触区设置于所述主体区上方，并且与所述主体区...该专利属于丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代电气股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代电气股份有限公司授权不得商用。