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本发明涉及在安置了带有靶(9)的磁控管(10)和基底(1)的真空室(3)中使用借助磁控靶生成等离子体的PECVD法（磁控管PECVD）用类金刚石碳（DLC）层涂覆基底(1)的方法，其中所述方法包括将至少一种反应物气体引入在真空室中由磁控靶(...
该专利属于法国圣戈班玻璃厂所有，仅供学习研究参考，未经过法国圣戈班玻璃厂授权不得商用。

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