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一种浅沟槽隔离结构及其制作方法技术
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文档序号:23560412
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本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制作方法,该制作方法包括以下步骤:提供衬底,形成隔离沟槽于衬底中,以在衬底中界定出多个有源区;形成第一填充介质于隔离沟槽的侧壁;形成牺牲层于第一填充介质的侧壁;形成第二填充介质于隔离沟槽中剩余的空间;去除牺牲...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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