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本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制备方法，方法包括：1）提供衬底，于衬底上依次形成叠置的垫氧化层和刻蚀阻挡层；2）于刻蚀阻挡层和垫氧化层内形成开口，并依据开口于衬底内形成第一沟槽；3）进行氮离子注入以于第一沟槽的侧壁和底部形成氮化硅层；4）...
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