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本发明涉及一种TMBS制备方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括硅衬底和形成于硅衬底表面的氧化硅层，氧化硅层上定义有刻蚀窗口；刻蚀氧化硅层形成工艺孔，刻蚀步骤包括：步骤A：将半导体结构置于反应腔内；步骤B：充入第一刻蚀气体并调节射频功率...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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