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本申请公开了太阳能电池技术领域的一种双面太阳能电池背面发射极的制备方法，包括以下步骤：步骤一：单晶硅片首先进行碱抛，去除表面损伤层；步骤二：硅片表面使用PECVD的方式制备SiNx掩膜；步骤三：设计特定图案，使用激光将部分区域的掩膜去除，即...
该专利属于遵义师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过遵义师范学院授权不得商用。

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