一种双面太阳能电池背面发射极的制备方法技术

本申请公开了太阳能电池技术领域的一种双面太阳能电池背面发射极的制备方法，包括以下步骤：步骤一：单晶硅片首先进行碱抛，去除表面损伤层；步骤二：硅片表面使用PECVD的方式制备SiNx掩膜；步骤三：设计特定图案，使用激光将部分区域的掩膜去除，即开槽，开槽的图案与金属化的栅线一致，开槽的宽度为30～130μm，线条可以为连续直线，线段，点阵列；步骤四：使用化学腐蚀的方式，在硅片表面的开槽区域制备出绒面，碱制绒绒面反射率达到11‑14％；步骤五：硅片进行扩散。采用本制作方法，1)激光后的清洗减弱了激光对硅片的损伤层，提高了太阳能电池的转化效率；2)化学制绒的方式相较激光而言，方阻的调整空间更大。

A preparation method of back emitter of double-sided solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种双面太阳能电池背面发射极的制备方法
本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种双面太阳能电池背面发射极的制备方法。
技术介绍
PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积。太阳电池是一种基于光伏效应直接将光能转化为电能的器件。为了提升太阳能电池的转换效率，高效太阳能电池的制备工艺中经常使用选择性发射极的制备工艺，一般选择性发射极采用扩散而后进行激光掺杂的工艺过程，其优点是对常规太阳能电池的制程兼容性强，缺点是激光工序后无清洗工序，从而表面的损伤层无法去除，工艺过程略有瑕疵。因此现在需要一种新的选择性发射极的制备方法
技术实现思路
本专利技术意在提供一种太阳能电池新的选择性发射极的制备方法。为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：一种双面太阳能电池背面发射极的制备方法，包括以下步骤：...

【技术保护点】
1.一种双面太阳能电池背面发射极的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n步骤一：单晶硅片首先进行碱抛，去除表面损伤层；/n步骤二：硅片表面使用PECVD的方式制备SiNx掩膜；/n步骤三：设计特定图案，使用激光将部分区域的掩膜去除，即开槽，开槽的图案与金属化的栅线一致，开槽的宽度为30～130μm，线条可以为连续直线，线段，点阵列；/n步骤四：使用化学腐蚀的方式，在硅片表面的开槽区域制备出绒面，碱制绒绒面反射率达到11-14％，而后使用HF与HNO3的混合溶液将绒面反射率腐蚀至19～26％，之后使用HF溶液将掩膜全部去除，在硅片表面形成两种粗糙度不同的区域即：绒面区与抛光区；/n步骤五：硅片...

【技术特征摘要】
1.一种双面太阳能电池背面发射极的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一：单晶硅片首先进行碱抛，去除表面损伤层；
步骤二：硅片表面使用PECVD的方式制备SiNx掩膜；
步骤三：设计特定图案，使用激光将部分区域的掩膜去除，即开槽，开槽的图案与金属化的栅线一致，开槽的宽度为30～130μm，线条可以为连续直线，线段，点阵列；
步骤四：使用化学腐蚀的方式，在硅片表面的开槽区域制备出绒面，碱制绒绒面反射率达到11-14％，而后使用HF与HNO3的混合溶液将绒面反射率腐蚀至19～26％，之后使用HF溶液将掩膜全部去除，在硅片表面形成两种粗糙度不同的区域即：绒面区与抛光区；
步骤五：硅片进行扩散，绒面区的表面活性较强，掺杂浓度高，方阻掺杂至70～120Ω，而抛光区的表面活性弱，掺杂浓度低，方阻掺杂至120～160Ω，如此形成选择性掺杂的发射极。


2.根据权利要求1所述的一种双面太阳能电池背面发射极的制备方法，其特征在于：步骤一的碱抛...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴波，黄海深，杨秀徳，李平，周庭艳，
申请(专利权)人：遵义师范学院，
类型：发明
国别省市：贵州;52