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本发明题为“用于基于SiC的保护器件的结构和方法”。本发明提供了一种器件，所述器件可以包括形成在SiC衬底内的P‑N二极管。所述器件可以包括形成在所述SiC衬底内的N型区、形成在所述N型区的上部部分中的P型区；以及注入的N型层，所述注入的N...
该专利属于莫诺利斯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过莫诺利斯半导体有限公司授权不得商用。

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