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低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列的操作方法技术
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文档序号:23498455
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一种低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列的操作方法,此低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列包含多组位线、多条字线、多条共源线与多个子内存阵列,每一子内存阵列包含第一记忆晶胞与第二记忆晶胞,第一记忆晶胞连接第一组位线的一位线、第一共源线与第一...
该专利属于亿而得微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过亿而得微电子股份有限公司授权不得商用。
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