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本发明揭示了一种功率半导体模块衬底。功率半导体模块衬底包括:第一功率金属敷层、第二功率金属敷层、第三功率金属敷层、第四功率金属敷层、以及辅助金属敷层,该辅助金属敷层形成于第一功率金属敷层与第二功率金属敷层之间以及第三功率金属敷层与第四功率金...该专利属于臻驱科技(上海)有限公司;浙江大学所有,仅供学习研究参考,未经过臻驱科技(上海)有限公司;浙江大学授权不得商用。
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