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本发明提供表面电极离子阱与硅光寻址及探测器的集成方法，包括步骤：在晶圆上形成硅光栅和硅结构并对硅结构离子注入及退火；沉积第一介质层于硅结构的上方刻蚀外延窗口并外延硅或锗，离子注入及退火后形成硅基光电探测器；沉积第二介质层并形成第一接触孔；沉...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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