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本发明提供了一种漂移探测器的双面制备方法，包括在半导体衬底的一面形成第一隔离层，在半导体衬底的另一面依次形成第二隔离层和抗腐蚀层，选择性去除第一隔离层以形成阳极区和漂移环区，选择性去除第二隔离层和抗腐蚀层以形成收集区；对阳极区、漂移环区和收...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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