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本申请涉及一种沟槽栅半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供半导体基底，在基底上开设沟槽，沟槽具有底槽以及自底槽顶部向上延伸以增大开口的顶槽，底槽具有第一侧壁，顶槽具有第二侧壁，第一侧壁的延伸方向与半导体基底上表面之间的夹角大于第二侧壁...
该专利属于中芯集成电路制造(绍兴)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路制造(绍兴)有限公司授权不得商用。

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