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本发明涉及一种7腔体卧式PECVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，真空预加热上料腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装...
该专利属于中智(泰兴)电力科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中智(泰兴)电力科技有限公司授权不得商用。

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