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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，基底包括电阻区；形成覆盖基底的第一介质层；形成覆盖第一介质层的牺牲层；依次图形化牺牲层和第一介质层，在电阻区的第一介质层内形成凹槽；在凹槽的底部和侧壁上形成电阻材料层，电阻材料层还覆盖剩余...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。