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用于在垂直功率器件中减小接触注入物向外扩散的氧插入的Si层。一种半导体器件包括：延伸到Si衬底中的栅沟槽，该栅沟槽包括栅电极和将栅电极与Si衬底分离的栅电介质。该半导体器件进一步包括：在Si衬底中与栅沟槽相邻的本体区，该本体区包括沿栅沟槽的...
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