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本发明提供一种半导体结构以及静电防护装置。该半导体结构包括：第一P型阱、第一P型扩散区、第一N型阱、第一N型扩散区、第二P型扩散区以及第一多晶硅层。第一P型扩散区设置于第一P型阱之内，且耦接至第一电极。第一N型阱与第一P型阱相邻。第一N型扩...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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