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本发明涉及半导体激光器技术领域，提供了一种半导体激光器外延结构，包括位于最底层的衬底、生长在所述衬底上的InP缓冲层以及位于最高层的电极接触层，还包括位于所述InP缓冲层和所述电极接触层之间的多量子阱层，靠近所述多量子阱层制作超晶格层，所述...
该专利属于武汉云岭光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉云岭光电有限公司授权不得商用。

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