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一种优化导热的半导体激光器及其制备方法技术
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文档序号:23364742
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本发明涉及一种优化导热的半导体激光器及其制备方法。本发明所述优化导热的半导体激光器,采用嵌入型导热结构连接有源区,解决掩埋式量子阱激光器的散热问题;在脊型结构两侧嵌入有源区的导热柱,激光器工作时,有源区产生的热量不断的通过导热柱向电极传输,...
该专利属于潍坊华光光电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过潍坊华光光电子有限公司授权不得商用。
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