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本发明提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底，所述基底包括衬底、凸出于所述衬底上分立的鳍部、横跨所述鳍部的栅极结构和位于所述栅极结构两侧鳍部中的源漏掺杂层，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶壁和部分侧壁；刻蚀部分厚...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。