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本发明公开了一种基于Cu衬底HEMT器件及其制备方法，属于HEMT器件领域。所述HEMT器件包括Cu衬底、碳掺杂GaN高阻层、本征GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、栅电极、源电极以及漏电极。本发明采用脉冲激光沉积法，在高热导率的...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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