温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种硅基上高深宽比微纳通孔的填充方法，属于填充方法技术领域。解决了现有的填充方法无法填充硅基上高深宽比微纳通孔的问题。本发明的填充方法，先将硅片进行热氧化处理，形成二氧化硅绝缘层；然后在硅片的下表面先沉积第一钛层再沉积第一铜种子层...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。