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本发明公开了一种纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器，包括运算跨导放大器和源极跟随器；输入电压为下限时，第八NMOS管N8能够充分工作在饱和区，因而能够保证足够的环路增益；输入电压迫近电源电压时，第七PMOS管P7进入线性区，第七...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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