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本发明公开了一种单片集成功率放大器和体声波滤波器的芯片结构及制备方法，该结构中：功率放大器设置在硅衬底的上表面；体声波滤波器设置在硅衬底的下表面，包括串联谐振器、并联谐振器；通过硅通孔技术将体声波滤波器的电极引出至硅衬底的上表面，实现功率放...
该专利属于武汉大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉大学授权不得商用。

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