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本发明公开了一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法,包括以下步骤:S1:将堆栈式芯片硅基等距放置在输送带上经由输送带输送至摄像部位;S2:利用三百六十度的摄像设备对堆栈式芯片硅基的外侧进行摄像,并件图像发送至图像处理器;S3:利用图像处理器对堆...该专利属于大同新成新材料股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过大同新成新材料股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种堆栈式芯片硅基质量智能检测方法,包括以下步骤:S1:将堆栈式芯片硅基等距放置在输送带上经由输送带输送至摄像部位;S2:利用三百六十度的摄像设备对堆栈式芯片硅基的外侧进行摄像,并件图像发送至图像处理器;S3:利用图像处理器对堆...