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本发明题为用于形成具有肖特基势垒结构的沟槽半导体器件的方法。该方法包括提供半导体材料区域。方法包括提供沟槽结构，具有：沟槽，从第一主表面延伸到半导体材料区域中；和导电材料，设置在沟槽内并通过电介质区域与半导体材料区域分离。方法包括提供与第一...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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