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一种半导体器件及其形成方法，包括：提供基底，基底上具有鳍部，鳍部包括若干层沿基底表面法线方向重叠的第一鳍部层和位于相邻两层第一鳍部层之间的第二鳍部层；形成伪栅极结构和位于伪栅极结构两侧的第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽侧壁形成第一鳍部凹槽；在...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。