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本实用新型公开了一种中频反应磁控溅射镀膜设备，所述设备包括设备支架、真空腔体和电源柜，所述真空腔体固定在设备支架的上方，所述真空腔体前端设置有离子源，后端中部与离子源相对的位置设置有中频孪生靶，在真空腔体的外侧顶部设置有分子泵；所述真空腔体...
该专利属于泰安东大新材表面技术有限公司;东北大学所有，仅供学习研究参考，未经过泰安东大新材表面技术有限公司;东北大学授权不得商用。

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