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本实用新型公开了一种射频等离子体氧化氮化设备,包括射频离子源、真空腔体、气路系统、水路系统和电控系统,所述射频离子源固定在真空腔体一端,射频离子源上设置进气口、进水口和出水口,射频离子源上设置射频线圈和磁场线圈。本设备通过以腔体为中心将各个...该专利属于泰安东大新材表面技术有限公司;东北大学所有,仅供学习研究参考,未经过泰安东大新材表面技术有限公司;东北大学授权不得商用。
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本实用新型公开了一种射频等离子体氧化氮化设备,包括射频离子源、真空腔体、气路系统、水路系统和电控系统,所述射频离子源固定在真空腔体一端,射频离子源上设置进气口、进水口和出水口,射频离子源上设置射频线圈和磁场线圈。本设备通过以腔体为中心将各个...