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本公开提供了一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括：p掺杂源极半导体层，所述p掺杂源极半导体层位于衬底上方；p掺杂带半导体层，所述p掺杂带半导体层位于所述p掺杂源极半导体层上方；导电层和绝缘层的交替叠堆，所述交替叠堆位于所述p掺杂带半导...
该专利属于闪迪技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过闪迪技术有限公司授权不得商用。

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