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用于间接检测电磁辐射的半导体器件及制造方法技术
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下载用于间接检测电磁辐射的半导体器件及制造方法的技术资料
文档序号:23319574
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半导体器件包括具有主表面(10)的半导体材料的衬底(1)、衬底中的集成电路(2)、布置在主表面上或上方的光电探检测元件(3)或光电检测元件(3)的阵列、以及布置在主表面上方的至少一个纳米材料膜(11、13)。纳米材料膜的至少一部分具有闪烁特...
该专利属于AMS国际有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过AMS国际有限公司授权不得商用。
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