【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于间接检测电磁辐射的半导体器件及制造方法闪烁体在例如包括医学成像应用的各种应用中用于在半导体成像设备中间接检测高能电磁或电离辐射(诸如X射线和γ射线)。入射的高能辐射被转换为能够由常规的光电二极管检测的可见光谱内的电磁辐射。纳米点通常为具有几纳米尺寸的小颗粒。当将电或光施加于纳米点时，所述纳米点根据其大小、形状和材料来发射特定波长的光。纳米棒是细长形状的小颗粒。纳米线是在一个轴线上基本上长于其直径延伸的细长形状的小颗粒。对齐的纳米棒或纳米线的层发射偏振光。US2007/0158573A1公开了一种包括多个检测元件的X射线检测器，所述检测元件中的每个包括将X射线转变成第一波长的光的第一闪烁体层和将已穿过第一闪烁体层的X射线转变成第二波长的光的第二闪烁体层。US7403589B1公开了一种具有将X射线转变为可见光子的光电倍增管和闪烁体的计算机断层扫描(CT)检测器。US2010/0193700A1公开了一种包括辐射敏感检测器的光谱光子计数检测器，该辐射敏感检测器包括与光电传感器光通信的闪烁体。US2010/0200760...
【技术保护点】
1.一种用于检测电磁辐射的半导体器件，包括：/n具有主表面(10)的半导体材料的衬底(1)，/n在所述衬底(1)中的集成电路(2)，/n布置在所述主表面(10)上方的纳米材料膜(11)，所述纳米材料膜(11)的至少一部分具有闪烁特性，以及/n布置在主表面(10)处、所述衬底(1)中或布置在主表面(10)与纳米材料膜(11)之间的半导体层(14)中的光电检测元件(3)或光电检测元件(3)的阵列，所述光电检测元件(3)或光电检测元件(3)的阵列配置为检测由所述纳米材料膜(11)转换的电磁辐射。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170503 EP 17169279.11.一种用于检测电磁辐射的半导体器件，包括：
具有主表面(10)的半导体材料的衬底(1)，
在所述衬底(1)中的集成电路(2)，
布置在所述主表面(10)上方的纳米材料膜(11)，所述纳米材料膜(11)的至少一部分具有闪烁特性，以及
布置在主表面(10)处、所述衬底(1)中或布置在主表面(10)与纳米材料膜(11)之间的半导体层(14)中的光电检测元件(3)或光电检测元件(3)的阵列，所述光电检测元件(3)或光电检测元件(3)的阵列配置为检测由所述纳米材料膜(11)转换的电磁辐射。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
布置在所述纳米材料膜(11)与所述光电检测元件(3)或光电检测元件(3)的阵列之间的电介质层(30、32)。
3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中
所述纳米材料膜(11)包括纳米点、纳米棒或纳米线或其任何组合。
4.根据权利要求1至3之一所述的半导体器件，还包括：
另一纳米材料膜(12)，所述另一纳米材料膜(12)的至少一部分具有吸收特性并且覆盖主表面(10)的、所述光电检测元件(3)或光电检测元件(3)的阵列以外的区域。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中
所述另一纳米材料膜(12)包括纳米点、纳米棒或纳米线或其任何组合。
6.根据权利要求1至5之一所述的半导体器件，还包括：
所述光电检测元件(3)或包括至少两个光电检测元件(3)的光电检测元件(3)的阵列，
至少一个另一纳米材料膜(13)，所述另一纳米材料膜的至少一部分具有闪烁特性，并且
所述至少两个光电检测元件(3)中的每个由纳米材料膜(11)或至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：延斯·霍弗里希特，吉·迈南，约瑟夫·佩特尔，托马斯·特罗克勒，
申请(专利权)人：AMS国际有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH
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