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本发明公开的属于AD型集成电路AD采样通道的设计技术领域，具体为一种防止AD采样通道漏电的设计方法，该防止AD采样通道漏电的设计由PMOS1、PMOS2、PMOS3和NMOS1、NMOS2、NMOS3组成，本发明传输门结构，由PMOS1、P...
该专利属于无锡中微爱芯电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡中微爱芯电子有限公司授权不得商用。

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